IPP03N03LB G
IPP03N03LB G
Osa numero:
IPP03N03LB G
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15368 Pieces
Tietolomake:
IPP03N03LB G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPP03N03LB G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPP03N03LB G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPP03N03LB G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 100µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO220-3-1
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.1 mOhm @ 55A, 10V
Tehonkulutus (Max):150W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:IPP03N03LB G-ND
IPP03N03LBGIN
IPP03N03LBGX
IPP03N03LBGXK
SP000074721
SP000680786
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IPP03N03LB G
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:7624pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:59nC @ 5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit