Ostaa IPP10N03LB G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO220-3-1 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 9.9 mOhm @ 50A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 58W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | IPP10N03LB G-ND IPP10N03LBGIN IPP10N03LBGX IPP10N03LBGXK SP000064222 SP000680860 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IPP10N03LB G |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1639pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |