IPP65R045C7XKSA1
IPP65R045C7XKSA1
Osa numero:
IPP65R045C7XKSA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15165 Pieces
Tietolomake:
IPP65R045C7XKSA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPP65R045C7XKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPP65R045C7XKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPP65R045C7XKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1.25mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-TO-220-3
Sarja:CoolMOS™ C7
RDS (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 24.9A, 10V
Tehonkulutus (Max):227W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3
Muut nimet:SP000929422
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:IPP65R045C7XKSA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:4340pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:93nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:46A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit