IPT015N10N5ATMA1
IPT015N10N5ATMA1
Osa numero:
IPT015N10N5ATMA1
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14560 Pieces
Tietolomake:
IPT015N10N5ATMA1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IPT015N10N5ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPT015N10N5ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IPT015N10N5ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PG-HSOF-8-1
Sarja:OptiMOS™
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.5 mOhm @ 150A, 10V
Tehonkulutus (Max):375W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerSFN
Muut nimet:IPT015N10N5ATMA1TR
SP001227040
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:14 Weeks
Valmistajan osanumero:IPT015N10N5ATMA1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:16000pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:211nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:300A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit