Ostaa IPT60R050G7XTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 800µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-HSOF-8 |
Sarja: | CoolMOS™ G7 |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 15.9A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 245W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-PowerSFN |
Muut nimet: | SP001615912 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPT60R050G7XTMA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2670pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 44A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 44A (Tc) |
Email: | [email protected] |