Ostaa IPT60R150G7XTMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 260µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-HSOF-8 |
Sarja: | CoolMOS™ G7 |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 5.3A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 106W (Tc) |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | 8-PowerSFN |
Muut nimet: | IPT60R150G7XTMA1DKR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPT60R150G7XTMA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 902pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
Email: | [email protected] |