Ostaa IPW65R150CFDFKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 900µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO247-3 |
Sarja: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 9.3A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 195.3W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
Muut nimet: | SP000907038 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IPW65R150CFDFKSA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2340pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V TO247 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 22.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |