Ostaa IPW65R190E6FKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IPW65R190E6FKSA1
- Osa numero:
- IPW65R190E6FKSA1
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12506 Pieces
- Tietolomake:
- IPW65R190E6FKSA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IPW65R190E6FKSA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IPW65R190E6FKSA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 730µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO247-3 |
| Sarja: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 151W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Muut nimet: | IPW65R190E6 IPW65R190E6-ND SP000863906 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IPW65R190E6FKSA1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1620pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IPW65R190E6FKSA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 | tiedustelu |
|
IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | tiedustelu |
|
IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | tiedustelu |
|
IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | tiedustelu |
|
IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 | tiedustelu |
|
IPW65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 | tiedustelu |
|
IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO-247 | tiedustelu |
|
IPW65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | tiedustelu |
|
IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | tiedustelu |
|
IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO247 | tiedustelu |
|
IPW65R420CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247 | tiedustelu |
|
IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers