Ostaa IRF6100 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 4-FlipFet™ |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 2.2W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 4-FlipFet™ |
Muut nimet: | IRF6100TR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRF6100 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1230pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 20V 5.1A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount 4-FlipFet™ |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5.1A (Ta) |
Email: | [email protected] |