IRF6603
IRF6603
Osa numero:
IRF6603
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17337 Pieces
Tietolomake:
IRF6603.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF6603, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF6603 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF6603 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DIRECTFET™ MT
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.6W (Ta), 42W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:DirectFET™ Isometric MT
Muut nimet:IRF6603TR
SP001530098
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan osanumero:IRF6603
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6590pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:27A (Ta), 92A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit