IRF6609
IRF6609
Osa numero:
IRF6609
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16929 Pieces
Tietolomake:
IRF6609.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF6609, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF6609 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF6609 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.45V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DIRECTFET™ MT
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:2 mOhm @ 31A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.8W (Ta), 89W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:DirectFET™ Isometric MT
Muut nimet:IRF6609TR
SP001523768
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan osanumero:IRF6609
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6290pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:31A (Ta), 150A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit