Ostaa IRF6611TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.25V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | DIRECTFET™ MX |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2.6 mOhm @ 27A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.9W (Ta), 89W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | DirectFET™ Isometric MX |
Muut nimet: | IRF6611TRPBFTR SP001531702 |
Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRF6611TRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4860pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 56nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 32A (Ta), 150A (Tc) |
Email: | [email protected] |