IRF830S
IRF830S
Osa numero:
IRF830S
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12217 Pieces
Tietolomake:
IRF830S.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRF830S, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRF830S sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRF830S BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.1W (Ta), 74W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:*IRF830S
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRF830S
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:610pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit