Ostaa IRFH8316TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 50µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-PQFN (5x6) |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2.95 mOhm @ 20A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.6W (Ta), 59W (Tc) |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
Muut nimet: | IRFH8316TRPBFDKR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IRFH8316TRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3610pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 59nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 27A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 27A (Ta), 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |