Ostaa IRFH8337TR2PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 25µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PQFN (5x6) |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.2W (Ta), 27W (Tc) |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
Muut nimet: | IRFH8337TR2PBFDKR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
Valmistajan osanumero: | IRFH8337TR2PBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.2W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta), 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |