Ostaa IRFR13N20DCPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | D-Pak |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 110W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRFR13N20DCPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
Email: | [email protected] |