Ostaa IRFR13N20DTRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRFR13N20DTRPBF
- Osa numero:
- IRFR13N20DTRPBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13202 Pieces
- Tietolomake:
- IRFR13N20DTRPBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRFR13N20DTRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFR13N20DTRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D-Pak |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 110W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | IRFR13N20DPBFTR IRFR13N20DTRPBF-ND IRFR13N20DTRPBFTR-ND SP001567488 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IRFR13N20DTRPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRFR13N20DTRPBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFR13N20DCPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR13N20DTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR13N20DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR13N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR13N20DCTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR13N20DCTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR13N20DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR13N15DTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR13N20DTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR13N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | tiedustelu |
|
IRFR13N20DTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog