Ostaa IRFSL31N20DTRL BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I2PAK |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 82 mOhm @ 18A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRFSL31N20DTRL |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2370pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole I2PAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 31A (Tc) |
Email: | [email protected] |