IRFU3706-701PBF
IRFU3706-701PBF
Osa numero:
IRFU3706-701PBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15245 Pieces
Tietolomake:
IRFU3706-701PBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRFU3706-701PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRFU3706-701PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRFU3706-701PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:IPAK (TO-251)
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:9 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max):88W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IRFU3706-701PBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2410pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 75A (Tc) 88W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 75A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit