Ostaa IRFU3709Z-701P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.25V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | IPAK (TO-251) |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 15A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 79W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRFU3709Z-701P |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2330pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 86A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 86A IPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 86A (Tc) |
Email: | [email protected] |