Ostaa IRL2910PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRL2910PBF
- Osa numero:
- IRL2910PBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16601 Pieces
- Tietolomake:
- IRL2910PBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRL2910PBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRL2910PBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 29A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 200W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Muut nimet: | *IRL2910PBF SP001576496 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IRL2910PBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 140nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 55A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRL2910PBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL2910SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL2910STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | tiedustelu |
 |
FDMS7672AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56 | tiedustelu |
 |
IRL2910L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A TO-262 | tiedustelu |
|
IRL2910STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | tiedustelu |
 |
SIHG22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC | tiedustelu |
 |
BUK7610-100B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | tiedustelu |
|
IRFS31N20DTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | tiedustelu |
 |
SCH1430-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A SCH6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers