Ostaa IRL2910L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRL2910L
- Osa numero:
- IRL2910L
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 55A TO-262
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18781 Pieces
- Tietolomake:
- IRL2910L.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRL2910L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRL2910L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-262 |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 29A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Muut nimet: | *IRL2910L |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRL2910L |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 140nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 55A TO-262 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRL2910L
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL2910SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL2910STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRL2910PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IRFZ20 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IPL60R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON | tiedustelu |
|
IRL2910STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL2910STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | tiedustelu |
 |
FDD8870 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK | tiedustelu |
 |
BSS138LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 | tiedustelu |
|
IRLR210ATF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog