Ostaa IRL530STRR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRL530STRR
- Osa numero:
- IRL530STRR
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13593 Pieces
- Tietolomake:
- IRL530STRR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRL530STRR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRL530STRR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 160 mOhm @ 9A, 5V |
| Tehonkulutus (Max): | 3.7W (Ta), 88W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRL530STRR |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 930pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 15A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRL530STRR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC8004 | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
IRL530L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A TO-262 | tiedustelu |
 |
IRL530S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK | tiedustelu |
 |
SI1032R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A | tiedustelu |
 |
IRL530 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB | tiedustelu |
|
IRL530PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB | tiedustelu |
 |
ZVN0124Z | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | tiedustelu |
 |
APT80SM120S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | tiedustelu |
 |
FDMS8025S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V POWER56 | tiedustelu |
|
IRL530STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL530STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK | tiedustelu |
 |
IXFH17N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | tiedustelu |
 |
BUK7230-55A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 38A DPAK | tiedustelu |
 |
TPH3206LDB | Transphorm | GAN FET 650V 16A PQFN88 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers