Ostaa IRL7833STRLPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRL7833STRLPBF
- Osa numero:
- IRL7833STRLPBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14817 Pieces
- Tietolomake:
- IRL7833STRLPBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRL7833STRLPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRL7833STRLPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | D2PAK |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 38A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 140W (Tc) |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | IRL7833STRLPBFDKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IRL7833STRLPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4170pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 150A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRL7833STRLPBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL7833PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB | tiedustelu |
 |
ZVP4525ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 | tiedustelu |
 |
IRL7833SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | tiedustelu |
|
IRL7833STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | tiedustelu |
 |
PHB18NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRL7833LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 150A TO-262 | tiedustelu |
|
IRL7833S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | tiedustelu |
 |
2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
BSS138W-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG | tiedustelu |
|
IPI100N06S3L04XK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog