2N7002E-T1-E3
Osa numero:
2N7002E-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19798 Pieces
Tietolomake:
2N7002E-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä 2N7002E-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2N7002E-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa 2N7002E-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 250mA, 10V
Tehonkulutus (Max):350mW (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:2N7002E-T1-E3-ND
2N7002E-T1-E3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:2N7002E-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:21pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.6nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:240mA (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit