Ostaa 2N7002E-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
2N7002E-T1-GE3
- Osa numero:
- 2N7002E-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13944 Pieces
- Tietolomake:
- 2N7002E-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä 2N7002E-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2N7002E-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-236 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 250mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 350mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | 2N7002E-T1-GE3-ND 2N7002E-T1-GE3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | 2N7002E-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 21pF @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.6nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 240mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 2N7002E-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
2N7002-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | tiedustelu |
|
2N7002E | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | tiedustelu |
|
2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
IRF9Z34S | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK | tiedustelu |
 |
SIHS20N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD | tiedustelu |
|
2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | tiedustelu |
|
2N7002K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
PSMN050-80PS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB | tiedustelu |
|
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | tiedustelu |
|
STB19NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK | tiedustelu |
|
2N7002K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog