Ostaa 2N7002-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
2N7002-T1-E3
- Osa numero:
- 2N7002-T1-E3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19094 Pieces
- Tietolomake:
- 2N7002-T1-E3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä 2N7002-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma 2N7002-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-236 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 200mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Muut nimet: | 2N7002-T1-E3-ND 2N7002-T1-E3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | 2N7002-T1-E3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 115mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 2N7002-T1-E3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD25213W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | tiedustelu |
 |
ZVN0124ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | tiedustelu |
 |
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | tiedustelu |
|
2N7002K-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
BUK7905-40AIE,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | tiedustelu |
|
2N7002-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 | tiedustelu |
|
2N7002E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | tiedustelu |
 |
HUF75639S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | tiedustelu |
|
2N7002K-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | tiedustelu |
|
SQ1470EH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70 | tiedustelu |
|
2N7002E | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 | tiedustelu |
|
2N7002E-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 | tiedustelu |
 |
IRF8721GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers