Ostaa 2N7002-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-236 |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 200mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Muut nimet: | 2N7002-E3-ND 2N7002-E3TR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | 2N7002-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 115mA (Ta) |
Email: | [email protected] |