Ostaa IRLBA1304PPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IRLBA1304PPBF
- Osa numero:
- IRLBA1304PPBF
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19384 Pieces
- Tietolomake:
- IRLBA1304PPBF.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IRLBA1304PPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRLBA1304PPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SUPER-220™ (TO-273AA) |
| Sarja: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4 mOhm @ 110A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | Super-220™-3 (Straight Leads) |
| Muut nimet: | *IRLBA1304PPBF |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IRLBA1304PPBF |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7660pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 140nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 185A (Tc) 300W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 185A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IRLBA1304PPBF
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLBA1304P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 | tiedustelu |
|
IRLBA1304 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 | tiedustelu |
 |
STD3NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK | tiedustelu |
 |
IRFR5505CPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | tiedustelu |
 |
NVTFS4C06NWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 71A U8FL | tiedustelu |
 |
AO4485_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8SOIC | tiedustelu |
|
FDS6064N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IXTQ36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P | tiedustelu |
 |
SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC | tiedustelu |
 |
STB13N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK | tiedustelu |
|
IRLBA3803P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 | tiedustelu |
 |
CSD18534Q5AT | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog