IRLML6401GTRPBF
IRLML6401GTRPBF
Osa numero:
IRLML6401GTRPBF
Valmistaja:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Kuvaus:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14437 Pieces
Tietolomake:
IRLML6401GTRPBF.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IRLML6401GTRPBF, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IRLML6401GTRPBF sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IRLML6401GTRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:Micro3™/SOT-23
Sarja:HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.3W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:IRLML6401GTRPBF-ND
IRLML6401GTRPBFTR
SP001568584
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:13 Weeks
Valmistajan osanumero:IRLML6401GTRPBF
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):12V
Kuvaus:MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.3A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit