Ostaa IRLML6401TRPBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 950mV @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | Micro3™/SOT-23 |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 1.3W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Muut nimet: | IRLML6401PBFTR SP001577044 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 13 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IRLML6401TRPBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |