Ostaa IRLU8729-701PBF BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 25µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I-Pak |
Sarja: | HEXFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8.9 mOhm @ 25A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 55W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Muut nimet: | IRLU8729PBF IRLU8729PBF-ND SP001552984 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IRLU8729-701PBF |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 58A (Tc) 55W (Tc) Through Hole I-Pak |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 58A IPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 58A (Tc) |
Email: | [email protected] |