IXFB70N60Q2
IXFB70N60Q2
Osa numero:
IXFB70N60Q2
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18205 Pieces
Tietolomake:
IXFB70N60Q2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFB70N60Q2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFB70N60Q2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFB70N60Q2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PLUS264™
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:88 mOhm @ 35A, 10V
Tehonkulutus (Max):890W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-264-3, TO-264AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFB70N60Q2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:265nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 70A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit