Ostaa IXFC14N80P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFC14N80P
- Osa numero:
- IXFC14N80P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19556 Pieces
- Tietolomake:
- IXFC14N80P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFC14N80P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFC14N80P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 4mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | ISOPLUS220™ |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 770 mOhm @ 7A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 130W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | ISOPLUS220™ |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXFC14N80P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 61nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 800V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™ |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 800V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFC14N80P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL4710PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 75A TO-262 | tiedustelu |
 |
IXFC16N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220 | tiedustelu |
 |
IPP052N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | tiedustelu |
|
IXFC14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 | tiedustelu |
|
IXFC12N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220 | tiedustelu |
 |
IRL1004STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF7220 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC | tiedustelu |
|
IPP14N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB | tiedustelu |
 |
IXFC16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 | tiedustelu |
|
IXFC13N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 | tiedustelu |
 |
BSH114,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23 | tiedustelu |
 |
SI2316BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3 | tiedustelu |
|
IXTV22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 | tiedustelu |
 |
IXTP42N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 42A TO-220 | tiedustelu |
 |
BSB028N06NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 | tiedustelu |
|
IXFC10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220 | tiedustelu |
 |
NTD40N03RT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK | tiedustelu |
|
IXFC110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 | tiedustelu |
|
IXFC15N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog