Ostaa IXFC15N80Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFC15N80Q
- Osa numero:
- IXFC15N80Q
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13984 Pieces
- Tietolomake:
- IXFC15N80Q.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFC15N80Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFC15N80Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | ISOPLUS220™ |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 650 mOhm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 230W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | ISOPLUS220™ |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXFC15N80Q |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4300pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 800V 13A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™ |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 800V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFC15N80Q
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ44ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | tiedustelu |
 |
IXFC110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 | tiedustelu |
|
IXFC16N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220 | tiedustelu |
 |
NTBV75N06T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | tiedustelu |
 |
PHB119NQ06T,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | tiedustelu |
|
IXFC14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 | tiedustelu |
|
IXFC12N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220 | tiedustelu |
 |
IXTF1R4N450 | IXYS | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | tiedustelu |
 |
BSC085N025S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 | tiedustelu |
 |
IXFC16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 | tiedustelu |
|
IXFC14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220 | tiedustelu |
 |
FQB6N40CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK | tiedustelu |
 |
FQT13N06TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 | tiedustelu |
|
FDN361AN | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 | tiedustelu |
 |
IRFPS3815PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247 | tiedustelu |
|
IXFC10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220 | tiedustelu |
 |
N0412N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 | tiedustelu |
 |
STS15N4LLF5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC | tiedustelu |
|
IXFC13N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 | tiedustelu |
|
STB23NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers