Ostaa IXFH7N90Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFH7N90Q
- Osa numero:
- IXFH7N90Q
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19008 Pieces
- Tietolomake:
- IXFH7N90Q.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFH7N90Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFH7N90Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247AD (IXFH) |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 180W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXFH7N90Q |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 56nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 900V 7A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 900V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 900V 7A TO-247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFH7N90Q
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH7N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD | tiedustelu |
 |
SIHF8N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK | tiedustelu |
|
IXFH76N07-11 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH76N07-12 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD | tiedustelu |
 |
FDMS8560S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN | tiedustelu |
|
IXFH70N20Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 70A TO-247 | tiedustelu |
|
IXFH75N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH70N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 70A TO-247 | tiedustelu |
 |
IPW60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247 | tiedustelu |
|
IXFH74N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 | tiedustelu |
 |
SIHH21N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8 | tiedustelu |
 |
IXTA10P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 | tiedustelu |
|
IXFH74N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 | tiedustelu |
 |
C2M1000170J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | tiedustelu |
 |
STF15NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP | tiedustelu |
 |
MMBF2201NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 | tiedustelu |
|
IXFH75N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXFH70N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 | tiedustelu |
 |
BS870-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 | tiedustelu |
 |
IXTH12N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog