IXFH7N80
IXFH7N80
Osa numero:
IXFH7N80
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17083 Pieces
Tietolomake:
IXFH7N80.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFH7N80, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFH7N80 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFH7N80 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247AD (IXFH)
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 3.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):180W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFH7N80
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 800V 7A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):800V
Kuvaus:MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit