Ostaa IXFN180N20 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 8mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SOT-227B |
Sarja: | HiPerFET™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 500mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 700W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Chassis Mount |
Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
Valmistajan osanumero: | IXFN180N20 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 22000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 660nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 200V 180A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 200V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 180A |
Email: | [email protected] |