IXFR4N100Q
IXFR4N100Q
Osa numero:
IXFR4N100Q
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15214 Pieces
Tietolomake:
IXFR4N100Q.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFR4N100Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFR4N100Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFR4N100Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1.5mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:ISOPLUS247™
Sarja:HiPerFET™
RDS (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max):80W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:ISOPLUS247™
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXFR4N100Q
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1000V (1kV) 3.5A (Tc) 80W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Valua lähde jännite (Vdss):1000V (1kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit