Ostaa IXFR80N50Q3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFR80N50Q3
- Osa numero:
- IXFR80N50Q3
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18917 Pieces
- Tietolomake:
- IXFR80N50Q3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFR80N50Q3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFR80N50Q3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 6.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | ISOPLUS247™ |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 72 mOhm @ 40A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 570W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 20 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXFR80N50Q3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 10000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 50A (Tc) 570W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFR80N50Q3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR80N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR80N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
SIR472DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
BSO200N03S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO | tiedustelu |
|
IXFR80N15Q | IXYS | MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
EPC2039ENGRT | EPC | TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
PMN55LN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP | tiedustelu |
 |
IPI037N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 | tiedustelu |
|
IXFR80N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247 | tiedustelu |
|
IXFR80N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247 | tiedustelu |
 |
AON6526 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6 | tiedustelu |
 |
AO4576 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC | tiedustelu |
 |
SPD30P06P G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers