Ostaa IXFT12N90Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFT12N90Q
- Osa numero:
- IXFT12N90Q
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15643 Pieces
- Tietolomake:
- IXFT12N90Q.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFT12N90Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFT12N90Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 4mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-268 |
| Sarja: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 900 mOhm @ 6A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXFT12N90Q |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 900V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 900V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFT12N90Q
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT120N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT15N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | tiedustelu |
 |
IXFT18N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A TO268 | tiedustelu |
 |
IXFT12N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A TO268 | tiedustelu |
 |
IXFT12N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 | tiedustelu |
|
IXFT16N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 | tiedustelu |
|
IXFT140N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT15N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT15N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT14N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT10N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT18N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT17N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3) | tiedustelu |
|
IXFT13N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268 | tiedustelu |
|
IXFT150N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog