IXFT16N120P
IXFT16N120P
Osa numero:
IXFT16N120P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16662 Pieces
Tietolomake:
IXFT16N120P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFT16N120P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFT16N120P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFT16N120P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:6.5V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-268
Sarja:HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 500mA, 10V
Tehonkulutus (Max):660W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXFT16N120P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1200V (1.2kV) 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
Valua lähde jännite (Vdss):1200V (1.2kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit