IXFV15N100P
Osa numero:
IXFV15N100P
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19035 Pieces
Tietolomake:
IXFV15N100P.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXFV15N100P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFV15N100P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXFV15N100P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:6.5V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PLUS220
Sarja:HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @ Id, Vgs:760 mOhm @ 500mA, 10V
Tehonkulutus (Max):543W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3, Short Tab
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:IXFV15N100P
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:97nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 1000V (1kV) 15A (Tc) 543W (Tc) Through Hole PLUS220
Valua lähde jännite (Vdss):1000V (1kV)
Kuvaus:MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit