Ostaa IXFV20N80P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXFV20N80P
- Osa numero:
- IXFV20N80P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16084 Pieces
- Tietolomake:
- IXFV20N80P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXFV20N80P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXFV20N80P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PLUS220 |
| Sarja: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 520 mOhm @ 10A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 500W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3, Short Tab |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXFV20N80P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4685pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 800V 20A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS220 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 800V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXFV20N80P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLJF3117PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | tiedustelu |
 |
AOW7S65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 7A TO262F | tiedustelu |
 |
IXFV20N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD | tiedustelu |
 |
IXFV22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 | tiedustelu |
 |
NP100P04PLG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 40V 100A TO-263 | tiedustelu |
 |
IXFV22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 | tiedustelu |
 |
IXFV22N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD | tiedustelu |
 |
SIR616DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 20.2A SO8 | tiedustelu |
 |
IXFV26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 | tiedustelu |
 |
FDAF59N30 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF | tiedustelu |
 |
IXFV26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220 | tiedustelu |
 |
NP15P06SLG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 60V 15A TO-252 | tiedustelu |
 |
STD85N10F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 70A DPAK | tiedustelu |
|
IXFV22N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD | tiedustelu |
|
IXFV26N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD | tiedustelu |
|
IXFV26N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD | tiedustelu |
 |
NTD4813NH-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog