Ostaa IXTA02N450HV BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTA02N450HV
- Osa numero:
- IXTA02N450HV
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17885 Pieces
- Tietolomake:
- IXTA02N450HV.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTA02N450HV, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTA02N450HV sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 6.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263 (IXTA) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 750 Ohm @ 10mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 113W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXTA02N450HV |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 256pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.4nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 4500V (4.5kV) 200mA (Tc) 113W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 4500V (4.5kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTA02N450HV
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
PMV230ENEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | tiedustelu |
 |
IRF6898MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET | tiedustelu |
 |
IXTA05N100HV | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 | tiedustelu |
 |
IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | tiedustelu |
|
IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | tiedustelu |
 |
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | tiedustelu |
 |
SIR618DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 14.2A SO8 | tiedustelu |
|
IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | tiedustelu |
 |
IRFL9014TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | tiedustelu |
|
IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK | tiedustelu |
 |
SUD25N15-52-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 25A TO252 | tiedustelu |
 |
STW15NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 | tiedustelu |
 |
STF16N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FP | tiedustelu |
|
IXTA08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 | tiedustelu |
|
IPD60R520C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252 | tiedustelu |
|
IXTA08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers