Ostaa IXTA05N100HV BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTA05N100HV
- Osa numero:
- IXTA05N100HV
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijy vapaa vapautuksella / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16873 Pieces
- Tietolomake:
- IXTA05N100HV.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTA05N100HV, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTA05N100HV sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-263 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 17 Ohm @ 375mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 40W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTA05N100HV |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 260pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.8nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 750mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTA05N100HV
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK9612-55B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRF7467 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 | tiedustelu |
|
IXTA02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 | tiedustelu |
|
IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK | tiedustelu |
|
IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | tiedustelu |
 |
IRL3716STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | tiedustelu |
|
IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | tiedustelu |
|
IXTA08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | tiedustelu |
 |
IXFH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | tiedustelu |
|
SPB80N08S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | tiedustelu |
 |
FDP8441_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | tiedustelu |
 |
STH270N8F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | tiedustelu |
|
IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers