Ostaa IXTH200N085T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTH200N085T
- Osa numero:
- IXTH200N085T
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 85V 200A TO-247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17360 Pieces
- Tietolomake:
- IXTH200N085T.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTH200N085T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTH200N085T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXTH) |
| Sarja: | TrenchMV™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 5 mOhm @ 25A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 480W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | IXTH200N085T |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 152nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 85V 200A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 85V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 200A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTH200N085T
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH20N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXTH22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH2N150L | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH250N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 250A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH20N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH20P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 20A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH2R4N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH24P20 | IXYS | MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXTH20N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 20A TO-247 | tiedustelu |
 |
IXTH2N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | tiedustelu |
|
IXTH24N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH270N04T4 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 270A | tiedustelu |
|
IXTH280N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 280A TO-247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog