Ostaa IXTH2R4N120P BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
IXTH2R4N120P
- Osa numero:
- IXTH2R4N120P
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16708 Pieces
- Tietolomake:
- IXTH2R4N120P.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä IXTH2R4N120P, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTH2R4N120P sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 (IXTH) |
| Sarja: | Polar™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 125W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IXTH2R4N120P |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1207pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 37nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1200V (1.2kV) 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat IXTH2R4N120P
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH2N150L | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH20N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH26P20P | IXYS | MOSFET P-CH 200V 26A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH200N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH250N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 250A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH21N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH24P20 | IXYS | MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD | tiedustelu |
|
IXTH24N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH20P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 20A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH280N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 280A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH270N04T4 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 270A | tiedustelu |
|
IXTH230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 230A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH220N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 220A TO-247 | tiedustelu |
 |
IXTH2N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | tiedustelu |
|
IXTH2N170D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH20N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 20A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH220N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 220A TO-247 | tiedustelu |
|
IXTH200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers