Ostaa IXTN21N100 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 500µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SOT-227B |
Sarja: | MegaMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 550 mOhm @ 500mA, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 520W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Chassis Mount |
Valmistajan osanumero: | IXTN21N100 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 8400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 21A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 21A |
Email: | [email protected] |