IXTN200N10T
IXTN200N10T
Osa numero:
IXTN200N10T
Valmistaja:
IXYS Corporation
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12196 Pieces
Tietolomake:
IXTN200N10T.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä IXTN200N10T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma IXTN200N10T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa IXTN200N10T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-227B
Sarja:TrenchMV™
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):550W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:IXTN200N10T
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:9400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:152nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 200A 550W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:200A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit